制造商：日本 Samco 公司。

负载锁定系统：最大可达 Ø200 毫米（8 英寸）。

设备特点

低温高速沉积：是一种用于研发的低温（80~400°C）、高速（>300nm/min）等离子体增强型 CVD 系统。

自偏置沉积技术：采用阴极耦合自偏置沉积技术，能够实现低应力薄膜的高速沉积，可使用液态 TEOS 源沉积 SiO₂薄膜，薄膜厚度范围从薄到极厚（高达 100μm）。

可在特殊表面沉积：通过低温沉积，能够在塑料表面上沉积薄膜。

高纵横比结构覆盖好：对高纵横比结构具有优秀的阶梯覆盖率。

可控制折射率：使用锗、磷、硼液源可以控制折射率。

节省空间：设计时尚、紧凑，占用洁净室空间小。